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SK하이닉스, 20나노 저전력 4Gb그래픽 DDR3 개발
이철 기자  |  sam@cdnews.co.kr
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승인 2012.09.19  10:19:42
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[통신일보] SK하이닉스는 19일 업계 최초로 20나노급 4기가비트(Gb) 그래픽 DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.

이 제품은 1.35V 동작전압에서 1.8Gbps 처리속도를 구현할 수 있어 16개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 3.6기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있다. 또한, 업계 최초로 동일 제품에서 1.5V 동작전압도 함께 지원해 2.0Gbps의 처리속도로 초당 4GB의 데이터 처리가 가능하다.

그래픽 D램은 PC나 게임기 등에서 영상을 처리하는데 쓰이는 메모리로 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리할 수 있는 빠른 속도가 특징이다. 그러나, 처리속도가 빨라질수록 소비전력도 증가하기 때문에 저전력 제품에서는 빠른 처리속도를 구현하기가 어려웠다.

이번에 개발된 제품은 SK하이닉스의 높은 기술력을 바탕으로 저전력 노트북에 적합한 1.35V의 동작전압을 구현하면서도 현재 데스크탑 수준의 그래픽 성능을 제공할 수 있는 것이 특징이다. 또한, 기존 30나노급 1.5V 제품대비 전력소모를 30% 이상 줄여 업계 리더로서 그래픽 메모리의 친환경 저전력 방향을 제시했다는 측면에서 높이 평가되고 있다.

SK하이닉스 마케팅본부장 김지범 전무는 “최근 개발된 20나노급 그래픽 DDR3 제품은 저전력과 빠른 처리속도를 동시에 구현한 제품으로, 이 제품으로 향후 그래픽 분야에서도 저전력 시대를 본격적으로 열어 가겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 20나노급 4Gb 그래픽 DDR3 제품을 올해 4분기부터 양산해 고용량 저전력 그래픽 D램 시장을 선도한다는 계획이다.
 

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